ASTM F 95-1989 用红外线反射法测定同类基质上硅的外延层厚度的试验方法
作者:标准资料网
时间:2024-05-17 18:28:05
浏览:9363
来源:标准资料网
下载地址: 点击此处下载
【英文标准名称】:TestMethodforThicknessofLightlyDopedSiliconEpitaxialLayersonHeavilyDopedSiliconSubstratesUsinganInfraredDispersiveSpectrophotometer
【原文标准名称】:用红外线反射法测定同类基质上硅的外延层厚度的试验方法
【标准号】:ASTMF95-1989
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1989
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:硅;分光光度计;电子工程;厚度;层;红外线;试验;衬底(绝缘)
【英文主题词】:thickness;infra-red;testing;electronicengineering;substrates(insulating);spectrophotometer;layers;silicon
【摘要】:
【中国标准分类号】:H80
【国际标准分类号】:29_040_30
【页数】:7P;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:用红外线反射法测定同类基质上硅的外延层厚度的试验方法
【标准号】:ASTMF95-1989
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1989
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:硅;分光光度计;电子工程;厚度;层;红外线;试验;衬底(绝缘)
【英文主题词】:thickness;infra-red;testing;electronicengineering;substrates(insulating);spectrophotometer;layers;silicon
【摘要】:
【中国标准分类号】:H80
【国际标准分类号】:29_040_30
【页数】:7P;A4
【正文语种】:英语
下载地址:
点击此处下载